Интеллектуальные
решения
Интеллектуальные
решения
Интеллектуальные
решения
полупроводниковой промышленности
Появившись вследствие растущего спроса на бытовую электронику, лазерные генераторы изображений SLX стали ответом на мощное расширение сферы применения интеллектуальных решений: в товарах широкого потребления, автотранспортных средствах, устройствах Интернета вещей, медицинских устройствах, а также промышленном технологическом оборудовании, если назвать всего несколько примеров. Это стимулирует спрос на фотошаблоны для сложных полупроводниковых узлов вследствие большого разнообразия конструкций и чувствительности серийного производства к колебаниям цен. Промышленность предпочитает использовать лазерные генераторы изображений ввиду более низкой удельной стоимости экспозиции (на маску), таким образом, 70 и 75% всех фотошаблонов производятся по лазерной технологии, и лазерной лазерные генераторы изображений провозглашены основой полупроводниковой промышленности.
Однако лазерные генераторы изображений, используемые сегодня, морально устаревают, тормозя темпы производства и утяжеляя его себестоимость, а следовательно, перестают эффективно выполнять свою задачу.
Mycronic решает эту задачу, выпуская на рынок серию SLX − новое поколение экономически эффективных лазерных генераторов изображений − с современной архитектурой, обеспечивающей стабильную и надежную работу системы.
Mycronic занимает уникальные позиции в качестве поставщика самых передовых генераторов изображений в мировой индустрии производства дисплеев. Для фотошаблонов, используемых в производстве дисплеев, быстрая скорость записи с гарантированным качеством на всей площади фотошаблона имеет решающее значение, поскольку размер маски в 50-100 раз больше по сравнению с размером фотошаблонов, используемых в полупроводниковой промышленности. Используя ту же технологию многолучевой записи от самого продвинутого генератора изображений mycronic для фотошаблонов для дисплеев, серия SLX способна выполнять экспозицию 6” фотошаблона всего за 20 минут − и с гарантированным качеством. К тому же, в серии SLX используется твердотельный лазер, сокращая тем самым эксплуатационные расходы за счет снижения энергопотребления. Серия SLX представляет собой лучший выбор системы для чувствительного к колебаниям цен производства сложных полупроводниковых узлов.
Чтобы соответствовать тенденциям рынка электроники, полупроводниковая промышленность постоянно развивается, и индустрия фотошаблонов должна учитывать эти тенденции. Однако лазерные инструменты, используемые в этой отрасли, устарели, и их трудно поддерживать в надлежащем состоянии. Серия SLX построена на самых современных платформах программного и аппаратного обеспечения, что обеспечивает гибкость поддержки в быстро меняющемся мире и дает возможности для дальнейшей разработки функциональности с прицелом на удовлетворение будущих потребностей клиентов. Таким образом, SLX будет развиваться в ногу со временем, и в будущем на основе той же платформы будут выпускаться усовершенствованные и более быстрые модели.
Серия SLX задействует платформу управления Evo, также используемую для других генераторов изображений Mycronic. Это означает, что наша квалифицированная сервисная организация с присутствием на местах готова осуществлять поддержку серии SLX с первого же дня после установки системы, позволяя максимально повысить техническую готовность и беспрерывную работу системы, и оптимизировать ее производительность, что невозможно для устаревших систем на выезде, в полевых условиях.
Проходы | 2P | 1P |
Скорость записи* | ~40 мин | ~20 мин |
Равномерность критического допуска на размер элементов (3σ) | 25 нм | 35 нм |
Совмещение (3σ) | 30 нм | 40 нм |
Размер маски | 5”~12” |
Проходы | 3P | 2P | 1P |
Скорость записи* | ~97 мин | ~64 мин | ~32 мин |
Равномерность критического допуска на размер элементов (3σ) | 12 нм | 15 нм | 20 нм |
Совмещение (3σ) | 20 нм | 25 нм | 30 нм |
Размер маски | 5”~9” |
Проходы | 3P | 2P | 1P |
Скорость записи* | ~169 мин | ~113 мин | ~56 мин |
Равномерность критического допуска на размер элементов (3σ) | 10 нм | 12 нм | 20 нм |
Совмещение (3σ) | 20 нм | 25 нм | 30 нм |
Размер маски | 6” |
*Estimate exposure time for 6” mask area